中国功率半导体领域领路人陈星弼在蓉逝世

中新社成都12月4日电 (记者 贺劭清) 记者4日晚从电子科技大学获悉，九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于当日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士(IEEELife Fellow)。

陈星弼是中国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括中国国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。陈星弼2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。陈星弼2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。(完)